Samsung Electronics lanza DRAM DDR5 de 12 nm y comienza la producción en masa

Samsung Electronics anunció recientemente que su DRAM DDR5 de 16 Gb que utiliza tecnología de proceso de 12 nm se ha puesto en producción en masa. Esta nueva generación de DRAM es más eficiente energéticamente y productiva y optimizará las aplicaciones informáticas de próxima generación, incluida la inteligencia artificial. En comparación con la generación anterior de productos, la nueva DRAM reduce el consumo de energía en un 23 % y aumenta la productividad de las obleas en un 20 %. Además, puede admitir velocidades de hasta 7,2 gigabits por segundo, lo que equivale a procesar aproximadamente dos películas UHD de 30 GB por segundo. Samsung seguirá ampliando su línea de productos DRAM de 12 nm para satisfacer la demanda del mercado.