Samsung Electronics toob turule 12 nm DDR5 DRAM-i ja alustab masstootmist

Samsung Electronics teatas hiljuti, et selle 16 Gb DDR5 DRAM, mis kasutab 12 nm protsessitehnoloogiat, on viidud masstootmisse. See uue põlvkonna DRAM on energiatõhusam ja produktiivsem ning optimeerib järgmise põlvkonna andmetöötlusrakendusi, sealhulgas tehisintellekti. Võrreldes eelmise põlvkonna toodetega, vähendab uus DRAM energiatarbimist 23% ja suurendab vahvli tootlikkust 20%. Lisaks suudab see toetada kiirust kuni 7,2 gigabitti sekundis, mis võrdub ligikaudu kahe 30 GB UHD filmi töötlemisega sekundis. Samsung jätkab turunõudluse rahuldamiseks oma 12nm DRAM-i tootevaliku laiendamist.