Samsung Electronics lançon DRAM 12 nm DDR5 dhe fillon prodhimin masiv

Samsung Electronics njoftoi së fundmi se DRAM-i i tij 16 Gb DDR5 duke përdorur teknologjinë e procesit 12 nm është vënë në prodhim masiv. Ky brez i ri i DRAM-it është më efikas dhe produktiv në energji dhe do të optimizojë aplikacionet kompjuterike të gjeneratës së ardhshme, duke përfshirë inteligjencën artificiale. Krahasuar me gjeneratën e mëparshme të produkteve, DRAM-i i ri redukton konsumin e energjisë me 23% dhe rrit produktivitetin e vaferit me 20%. Përveç kësaj, ai mund të mbështesë shpejtësi deri në 7.2 gigabit për sekondë, që është e barabartë me përpunimin e afërsisht dy filmave UHD 30 GB për sekondë. Samsung do të vazhdojë të zgjerojë linjën e tij të produkteve DRAM 12 nm për të përmbushur kërkesën e tregut.