أطلقت شركة Samsung Electronics ذاكرة الوصول العشوائي DDR5 DRAM مقاس 12 نانومتر وبدأت الإنتاج الضخم

أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات مؤخرًا أن ذاكرة الوصول العشوائي DDR5 DRAM بسعة 16 جيجا بايت والتي تستخدم تقنية المعالجة 12 نانومتر قد تم إنتاجها بكميات كبيرة. يعتبر هذا الجيل الجديد من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) أكثر كفاءة في استخدام الطاقة وإنتاجية وسيعمل على تحسين تطبيقات الحوسبة من الجيل التالي، بما في ذلك الذكاء الاصطناعي. بالمقارنة مع الجيل السابق من المنتجات، تعمل ذاكرة DRAM الجديدة على تقليل استهلاك الطاقة بنسبة 23% وزيادة إنتاجية الرقاقة بنسبة 20%. بالإضافة إلى ذلك، يمكنه دعم سرعات تصل إلى 7.2 جيجابت في الثانية، وهو ما يعادل معالجة فيلمين بدقة UHD بسعة 30 جيجابايت في الثانية تقريبًا. وستواصل سامسونج توسيع تشكيلة منتجاتها من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بدقة 12 نانومتر لتلبية طلب السوق.