سامسونگ الکترونیک DRAM 12 نانومتری DDR5 را راه اندازی کرد و تولید انبوه را آغاز کرد

سامسونگ الکترونیکس اخیراً اعلام کرده است که DRAM 16 گیگابایتی DDR5 با استفاده از فناوری فرآیند 12 نانومتری به تولید انبوه رسیده است. این نسل جدید DRAM انرژی کارآمدتر و مولدتر است و برنامه های محاسباتی نسل بعدی از جمله هوش مصنوعی را بهینه می کند. در مقایسه با نسل قبلی محصولات، DRAM جدید مصرف برق را تا 23 درصد کاهش می دهد و بهره وری ویفر را 20 درصد افزایش می دهد. علاوه بر این، می تواند تا سرعت 7.2 گیگابیت در ثانیه را پشتیبانی کند که معادل پردازش دو فیلم UHD 30 گیگابایتی در ثانیه است. سامسونگ به گسترش مجموعه محصولات DRAM 12 نانومتری خود ادامه خواهد داد تا تقاضای بازار را برآورده کند.