Samsung Electronics משיקה 12nm DDR5 DRAM ומתחילה בייצור המוני

Samsung Electronics הודיעה לאחרונה כי 16Gb DDR5 DRAM שלה באמצעות טכנולוגיית תהליך 12nm הוכנס לייצור המוני. הדור החדש הזה של DRAM הוא יעיל יותר ופרודוקטיבי יותר באנרגיה וייעל את יישומי המחשוב של הדור הבא, כולל בינה מלאכותית. בהשוואה לדור הקודם של מוצרים, ה-DRAM החדש מפחית את צריכת החשמל ב-23% ומגדיל את פרודוקטיביות הפרוסים ב-20%. בנוסף, הוא יכול לתמוך במהירויות של עד 7.2 גיגה-ביט לשנייה, מה שמקביל לעיבוד כשני סרטי 30GB UHD לשנייה. סמסונג תמשיך להרחיב את מערך מוצרי ה- 12nm DRAM שלה כדי לענות על ביקוש השוק.