Infineon bringt 1200 V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET auf den Markt

2
Infineon bringt seinen neuesten 1200-V-EasyDUAL™ CoolSiC™-MOSFET in einem erstklassigen 12 mm hohen Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität und einem breiten Gate-Treiberspannungsfenster auf den Markt. Die Serie umfasst Versionen mit und ohne thermische Schnittstellenmaterialien und eignet sich für Anwendungen wie Motorsteuerung, unterbrechungsfreie Stromversorgung, Laden von Elektrofahrzeugen und Photovoltaikanlagen.