Infineon lance le MOSFET EasyDUAL™ CoolSiC™ 1 200 V

2024-12-20 09:21
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Infineon lance son dernier MOSFET EasyDUAL™ CoolSiC™ 1 200 V dans un boîtier de 12 mm de haut, le meilleur de sa catégorie, avec une faible inductance parasite et une large fenêtre de tension de commande de grille. La série comprend des versions avec et sans matériaux d'interface thermique et convient à des applications telles que la commande de moteurs, les alimentations sans interruption, la recharge de véhicules électriques et les systèmes photovoltaïques.