Infineon lancerer 1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET
2024-12-20 09:21
2
Infineons seneste 1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET anvender klassens bedste 12 mm høje pakke med lav parasitisk induktans og bredt gate-drevspændingsvindue. Serien inkluderer versioner med og uden termiske grænsefladematerialer og er velegnet til applikationer som motorstyring, uafbrydelig strømforsyning, opladning af elbiler og solcelleanlæg.
