Infineon lanceert 1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

De nieuwste 1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET van Infineon maakt gebruik van het beste 12 mm hoge pakket in zijn klasse met lage parasitaire inductie en een breed gate-drive-spanningsvenster. De serie omvat versies met en zonder thermische interfacematerialen en is geschikt voor toepassingen zoals motorbesturing, ononderbroken voedingen, het opladen van elektrische voertuigen en fotovoltaïsche systemen.