Infineon lanza el MOSFET EasyDUAL™ CoolSiC™ de 1200 V

El último MOSFET EasyDUAL™ CoolSiC™ de 1200 V de Infineon adopta el mejor paquete de 12 mm de alto de su clase con baja inductancia parásita y una amplia ventana de voltaje de accionamiento de compuerta. La serie incluye versiones con y sin materiales de interfaz térmica y es adecuada para aplicaciones como control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, carga de vehículos eléctricos y sistemas fotovoltaicos.