Infineon lancia il MOSFET EasyDUAL™ CoolSiC™ da 1200 V

L'ultimo MOSFET EasyDUAL™ CoolSiC™ da 1200 V di Infineon adotta un package alto 12 mm, il migliore della categoria, con bassa induttanza parassita e ampia finestra di tensione di pilotaggio del gate. La serie comprende versioni con e senza materiali di interfaccia termica ed è adatta per applicazioni quali controllo motori, gruppi di continuità, ricarica di veicoli elettrici e sistemi fotovoltaici.