Infineon kynnir nýstárlega kaldskurðartækni

Til að bregðast við eftirspurn eftir SiC á nýjum orkutækja- og ljósaorkugeymslumörkuðum hefur Infineon hleypt af stokkunum kaldskurðartækni, sem bætir nýtingarhlutfall kísilkarbíðskífa í raun. Með því að undirrita langtíma birgðasamninga við margar oblátur og vinna með Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. og Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Að auki er Infineon einnig að auka framleiðslugetu kísilkarbíðs í Evrópu og Asíu og ætlar að beita kaldskurðartækni á bakþynningarferlið á næstu tveimur árum. Gert er ráð fyrir að framleiðslugeta Infineon kísilkarbíðs muni aukast 10 sinnum árið 2027.