Infineon lanserar innovativ kallkapningsteknik

Som svar på efterfrågan på SiC på marknaderna för nya energifordon och solcellsenergilagring har Infineon lanserat kallskärningsteknik, som effektivt förbättrar utnyttjandegraden av kiselkarbidskivor. Genom att underteckna långsiktiga leveransavtal med flera waferfabriker och samarbeta med Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. och Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Utöver det utökar Infineon också produktionskapaciteten för kiselkarbid i Europa och Asien, och planerar att tillämpa kallskärningsteknik på bakgallringsprocessen under de kommande två åren. Det förväntas att Infineons produktionskapacitet för kiselkarbid kommer att öka 10 gånger till 2027.