Infineon запускає інноваційну технологію холодного різання

У відповідь на попит на SiC на ринках нових енергетичних транспортних засобів і фотоелектричних накопичувачів енергії Infineon запустив технологію холодного різання, яка ефективно покращує рівень використання пластин карбіду кремнію. Завдяки підписанню довгострокових угод про постачання з багатьма фабриками по виготовленню пластин і співпраці з Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. і Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Крім того, Infineon також розширює потужності з виробництва карбіду кремнію в Європі та Азії та планує застосувати технологію холодного різання до процесу зворотного тоншення протягом наступних двох років. Очікується, що до 2027 року потужності Infineon з виробництва карбіду кремнію зростуть у 10 разів.