Infineon pristato naujovišką šalto pjovimo technologiją

Reaguodama į SiC poreikį naujose energijos transporto priemonėse ir fotovoltinės energijos kaupimo rinkose, „Infineon“ pristatė šalto pjovimo technologiją, kuri efektyviai pagerina silicio karbido plokštelių panaudojimo greitį. Pasirašydami ilgalaikes tiekimo sutartis su keliais plokštelių gaminiais ir bendradarbiaudami su Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. ir Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Be to, „Infineon“ taip pat plečia silicio karbido gamybos pajėgumus Europoje ir Azijoje, o per ateinančius dvejus metus planuoja taikyti šaltojo pjovimo technologiją nugaros retinimo procesui. Tikimasi, kad iki 2027 metų „Infineon“ silicio karbido gamybos pajėgumai padidės 10 kartų.