Infineon lansira inovativnu tehnologiju hladnog rezanja

Kao odgovor na potražnju za SiC na novim energetskim vozilima i fotonaponskim tržištima za pohranu energije, Infineon je lansirao tehnologiju hladnog rezanja, koja učinkovito poboljšava stopu iskorištenja pločica od silicij karbida. Potpisivanjem dugoročnih ugovora o opskrbi s više tvornica pločica i suradnjom s Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. i Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Osim toga, Infineon također proširuje proizvodne kapacitete silicijevog karbida u Europi i Aziji, te planira primijeniti tehnologiju hladnog rezanja na proces zadnjeg stanjivanja u sljedeće dvije godine. Očekuje se da će Infineonov kapacitet proizvodnje silicij karbida porasti 10 puta do 2027. godine.