Infineon bringt die neue 1200-V-Halbbrücken-Gate-Treiber-Serie 2ED132xS12x auf den Markt
IGBT
MOSFET
Pro
Halb
SiC-MOS
SiC-MOSFET
Halbbrücke
Serie
Hoch
Modell
Wärmepumpe
Servo
Treiber
Diode
integriert
SiC
2024-12-20 09:23
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Die neu eingeführte 1200-V-Halbbrücken-Gate-Treiber-Serie 2ED132xS12x von Infineon verfügt über integrierte Bootstrap-Diode und Überstromschutz-OCP-Funktionen. Die Serie umfasst vier Modelle, die für Hochleistungsanwendungen wie gewerbliche HLK-Anlagen, Wärmepumpen, Servoantriebe und mehr geeignet sind. Das Produkt ist in einem 300 mil breiten Gehäuse verpackt, das für IGBT und 1200-V-SiC-MOSFET geeignet ist.
