STMicroelectronics bringt das leistungsstarke Galliumnitrid-Gerät PowerGaN auf den Markt

STMicroelectronics gab kürzlich den Beginn der Massenproduktion des Hochleistungs-Galliumnitrid (GaN)-Geräts PowerGaN bekannt, mit dem Ziel, die Leistungsumwandlungseffizienz von Automobilelektrifizierungssystemen zu verbessern. Diese Produktserie umfasst zwei industrietaugliche 650-V-G-HEMT™-Transistoren mit normaler Sperrfunktion, SGT120R65AL und SGT65R65AL, in PowerFLAT 5x6 HV-Gehäusen, die Nennströme von 15 A bzw. 25 A liefern. Es wird erwartet, dass STMicroelectronics in den nächsten Monaten auch für den Automobilbereich geeignete PowerGaN-Geräte sowie weitere Power-Packaging-Formen auf den Markt bringen wird.