STMicroelectronics lance le dispositif haute performance au nitrure de gallium PowerGaN

STMicroelectronics a récemment annoncé le début de la production en série du dispositif PowerGaN en nitrure de gallium (GaN) haute performance, visant à améliorer l'efficacité de conversion de puissance des systèmes d'électrification automobile. Cette série de produits comprend deux transistors G-HEMT™ normalement fermés de 650 V de qualité industrielle, SGT120R65AL et SGT65R65AL, conditionnés en PowerFLAT 5x6 HV et fournissant des courants nominaux de 15 A et 25 A respectivement. Il est prévu qu'au cours des prochains mois, STMicroelectronics lancera également des dispositifs PowerGaN adaptés au domaine automobile, ainsi que d'autres formes de conditionnement d'énergie.