STMicroelectronics wprowadza na rynek wysokowydajne urządzenie z azotku galu PowerGaN

Firma STMicroelectronics ogłosiła niedawno rozpoczęcie masowej produkcji wysokowydajnego urządzenia PowerGaN z azotku galu (GaN), którego celem jest poprawa wydajności konwersji mocy w samochodowych systemach elektryfikacji. Ta seria produktów obejmuje dwa przemysłowe tranzystory G-HEMT™ o napięciu 650 V, normalnie wyłączone, SGT120R65AL i SGT65R65AL, które są umieszczone w obudowie PowerFLAT 5x6 HV i zapewniają prądy znamionowe odpowiednio 15 A i 25 A. Oczekuje się, że w ciągu najbliższych kilku miesięcy STMicroelectronics wprowadzi na rynek także urządzenia PowerGaN odpowiednie dla branży motoryzacyjnej, a także inne formy opakowań mocy.