STMicroelectronics uvádza na trh vysokovýkonné zariadenie z nitridu gália PowerGaN

Spoločnosť STMicroelectronics nedávno oznámila spustenie sériovej výroby vysokovýkonného zariadenia z nitridu gália (GaN) PowerGaN, ktorého cieľom je zlepšiť účinnosť premeny energie automobilových elektrifikačných systémov. Táto séria produktov obsahuje dva priemyselné 650V normálne vypnuté tranzistory G-HEMT™, SGT120R65AL a SGT65R65AL, ktoré sú zabalené v PowerFLAT 5x6 HV a poskytujú menovité prúdy 15A a 25A. Očakáva sa, že v najbližších mesiacoch STMicroelectronics uvedie na trh aj zariadenia PowerGaN vhodné pre automobilovú oblasť, ako aj ďalšie formy balenia energie.