STMicroelectronics pristato didelio našumo galio nitrido įrenginį PowerGaN

STMicroelectronics neseniai paskelbė, kad pradeda masinę didelio našumo galio nitrido (GaN) įrenginio PowerGaN gamybą, skirtą pagerinti automobilių elektrifikavimo sistemų galios konversijos efektyvumą. Šią produktų seriją sudaro du pramoninio lygio 650 V normaliai išjungiami G-HEMT™ tranzistoriai SGT120R65AL ir SGT65R65AL, kurie yra supakuoti į PowerFLAT 5x6 HV ir suteikia atitinkamai 15 A ir 25 A vardinę srovę. Tikimasi, kad per artimiausius kelis mėnesius „STMicroelectronics“ pristatys ir automobilių sričiai tinkančius „PowerGaN“ įrenginius bei daugiau galios pakavimo formų.