STMicroelectronics lansira visokoučinkovit uređaj s galij nitridom PowerGaN

STMicroelectronics je nedavno najavio početak masovne proizvodnje visokoučinkovitog uređaja s galij nitridom (GaN) PowerGaN, s ciljem poboljšanja učinkovitosti pretvorbe energije u sustavima za elektrifikaciju automobila. Ova serija proizvoda uključuje dva G-HEMT™ tranzistora industrijske razine od 650 V normalno isključena, SGT120R65AL i SGT65R65AL, koji su pakirani u PowerFLAT 5x6 HV i daju nazivne struje od 15 A odnosno 25 A. Očekuje se da će STMicroelectronics u sljedećih nekoliko mjeseci lansirati i PowerGaN uređaje prikladne za područje automobilske industrije, kao i više snažnih oblika pakiranja.