STMicroelectronics toob turule suure jõudlusega galliumnitriidi seadme PowerGaN

STMicroelectronics teatas hiljuti suure jõudlusega galliumnitriidi (GaN) seadme PowerGaN masstootmise alustamisest, mille eesmärk on parandada autode elektrifitseerimissüsteemide võimsuse muundamise efektiivsust. See tooteseeria sisaldab kahte tööstusliku kvaliteediga 650 V normaalselt väljalülitatud G-HEMT™ transistorit, SGT120R65AL ja SGT65R65AL, mis on pakendatud PowerFLAT 5x6 HV ja annavad nimivoolu vastavalt 15A ja 25A. Eeldatavasti toob STMicroelectronics lähikuudel turule ka autotööstusele sobivaid PowerGaN-seadmeid, aga ka rohkem jõupakendeid.