ទិន្នផលប្រចាំឆ្នាំរបស់ Hoshine Silicon នៃ 800 តោននៃវត្ថុធាតុដើម silicon carbide granular អេឡិចត្រូនិ 800 តោន និង 600,000 បំណែកនៃ silicon carbide wafers ត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងត្រូវបានដាក់ចូលទៅក្នុងការផលិតសាកល្បងនៅក្នុងខែមីនាឆ្នាំនេះ។

គម្រោងរបស់ក្រុមហ៊ុន Inner Mongolia Saisheng New Materials Co., Ltd. ដែលជាក្រុមហ៊ុនបុត្រសម្ព័ន្ធរបស់ Hoshine Silicon Industry ជាមួយនឹងទិន្នផលប្រចាំឆ្នាំ 800 តោននៃវត្ថុធាតុដើម silicon carbide granular អេឡិចត្រូនិចថ្នាក់ទី 800 និង 600,000 silicon carbide wafers ត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងត្រូវបានដាក់ចូលទៅក្នុងការផលិតសាកល្បង។ នៅដើមខែមីនាឆ្នាំនេះ។ គម្រោងដែលមានទុនវិនិយោគសរុបចំនួន 2 ពាន់លានយន់ មានទីតាំងនៅតំបន់អភិវឌ្ឍន៍ Jinqiao ផ្លូវ Zhaowuda Road ស្រុក Saihan ទីក្រុង Hohhot ។