Der weltweit erste 8-Zoll-Silizium-Photonen-Dünnschicht-Lithiumniobat-Wafer wurde erfolgreich entwickelt

Der weltweit erste photonische 8-Zoll-Silizium-Photonen-Dünnschicht-Lithiumniobat-Wafer wurde im Jiufengshan-Labor erfolgreich entwickelt. Diese Errungenschaft nutzt die Bonding-Technologie eines 8-Zoll-SOI-Photonik-Wafers aus Silizium und eines 8-Zoll-Lithiumniobat-Wafers, um eine monolithische Integration optoelektronischer Transceiverfunktionen zu erreichen, was die fortschrittlichste Technologie in der optoelektronischen Verbindungsintegration auf Siliziumbasis darstellt.