ក្រុមហ៊ុន Infineon Technologies បើកដំណើរការបច្ចេកវិទ្យាស៊ីលីកុនកាបូន ជំនាន់ថ្មី (SiC) MOSFET Trench gate Technology

ក្រុមហ៊ុន Infineon Technologies បានដាក់ឱ្យដំណើរការនូវជំនាន់ថ្មីនៃបច្ចេកវិទ្យា silicon carbide (SiC) MOSFET trench gate technology ដែលធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវសូចនាករប្រតិបត្តិការសំខាន់ៗរបស់ MOSFETs 20% ដូច្នេះការធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាពថាមពល និងការលើកកម្ពស់កាបោនទាប។ បច្ចេកវិជ្ជា G2 ជំនាន់ថ្មីរបស់ CoolSiC MOSFET នឹងបន្តប្រើប្រាស់នូវគុណសម្បត្តិនៃដំណើរការនៃស៊ីលីកុនកាបែត កាត់បន្ថយការបាត់បង់ថាមពល និងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពក្នុងដំណើរការបំប្លែងថាមពល។