Infineon Technologies নতুন প্রজন্মের সিলিকন কার্বাইড (SiC) MOSFET ট্রেঞ্চ গেট প্রযুক্তি চালু করেছে

Infineon Technologies একটি নতুন প্রজন্মের সিলিকন কার্বাইড (SiC) MOSFET ট্রেঞ্চ গেট প্রযুক্তি চালু করেছে, যা MOSFET-এর প্রধান কার্যক্ষমতা সূচককে 20% উন্নত করে, এইভাবে শক্তির দক্ষতা উন্নত করে এবং কম-কার্বনাইজেশন প্রচার করে। CoolSiC MOSFET-এর নতুন প্রজন্মের G2 প্রযুক্তি সিলিকন কার্বাইডের কার্যকারিতা সুবিধাগুলি, শক্তির ক্ষয় কমাতে এবং পাওয়ার রূপান্তর প্রক্রিয়ায় দক্ষতা উন্নত করতে থাকবে৷