تطلق شركة Infineon Technologies الجيل الجديد من تقنية بوابة الخندق MOSFET من كربيد السيليكون (SiC).

أطلقت شركة Infineon Technologies جيلًا جديدًا من تقنية بوابة الخندق MOSFET من كربيد السيليكون (SiC)، والتي تعمل على تحسين مؤشرات الأداء الرئيسية لدوائر MOSFET بنسبة 20%، وبالتالي تحسين كفاءة الطاقة وتعزيز انخفاض نسبة الكربون. سوف تستمر تقنية G2 من الجيل الجديد من CoolSiC MOSFET في الاستفادة من مزايا أداء كربيد السيليكون، وتقليل فقدان الطاقة، وتحسين الكفاءة في عملية تحويل الطاقة.