芯联集成具备碳化硅产品全栈能力,性能与国际先进水平相当
SiC MOS
芯联集成
良率
碳化硅
芯片
SiC
2024-04-26 07:00
1
芯联集成在碳化硅芯片领域已取得显著成果,成功跻身国内头部阵营。该公司在短短三年内,迭代了三代SiC MOS产品,并在2023年底实现了第三代1200V SiC MOS在汽车主驱应用中的量产。此外,芯联集成的第三代1200V SiC MOS在良率和温度性能方面达到了业界领先水平。
Prev:芯能半导体完成C++轮融资
Next:Axcelis向全球领先碳化硅功率器件制造商交付多批离子注入器
快报
一手资料
数据
个人中心