ON Semiconductor lança módulo IGBT de 7ª geração para apoiar aplicações de energia renovável

A ON Semiconductor lançou seu módulo de potência de transistor bipolar de porta isolada (IGBT) 1200V QDual3 de sétima geração. O módulo possui maior densidade de potência e potência de saída 10% maior que produtos similares. O módulo QDual3 é baseado na nova tecnologia IGBT de 7ª geração (FS7) de parada de campo, trazendo desempenho de eficiência energética líder do setor, ajudando a reduzir custos do sistema e simplificar o projeto.