ON Semiconductor julkaisee 7. sukupolven IGBT-moduulin tukemaan uusiutuvan energian sovelluksia

ON Semiconductor on julkaissut seitsemännen sukupolven 1200 V QDual3 insulated gate bipolar transistor (IGBT) tehomoduulinsa. Moduulin tehotiheys ja lähtöteho on 10 % suurempi kuin vastaavissa tuotteissa. QDual3-moduuli perustuu uuteen 7. sukupolven kenttäpysäytystekniikkaan (FS7) IGBT-tekniikkaan, joka tarjoaa alan johtavan energiatehokkuuden, auttaa vähentämään järjestelmäkustannuksia ja yksinkertaistamaan suunnittelua.