Samsung Electronics is van plan de volgende generatie V-NAND-technologie te lanceren

Volgens berichten in de Koreaanse media is Samsung Electronics van plan om in 2026 de volgende generatie V-NAND-technologie met meer dan 400 lagen te lanceren en in 2027 0a nm DRAM op basis van de VCT-structuur te lanceren. Deze nieuwe V-NAND-technologie heet BV (Bonding Vertical) NAND. Het zal de bestaande perifere CoP-celstructuur veranderen door de geheugencellen en randcircuits afzonderlijk te vervaardigen en vervolgens verticale binding uit te voeren, waardoor het NAND-stapelproces wordt vermeden. Het beschadigt niet de perifere circuitstructuur en kan een bitdichtheid bereiken die 60% hoger is dan de CoP-oplossing. Bovendien zal het aantal V11 NAND-lagen in 2027 verder worden vergroot, kan de I/O-snelheid met 50% worden verhoogd en zullen naar verwachting in de toekomst duizenden stapellagen worden gerealiseerd.