Samsung Electronics intenționează să lanseze tehnologia V-NAND de ultimă generație

Potrivit rapoartelor presei coreene, Samsung Electronics intenționează să lanseze tehnologia V-NAND de nouă generație cu peste 400 de straturi în 2026 și să lanseze DRAM 0a nm bazată pe structura VCT în 2027. Acest nou tip de tehnologie V-NAND se numește BV (Bonding Vertical) NAND. Acesta va schimba structura celulară periferică CoP prin fabricarea separată a celulelor de memorie și a circuitelor periferice, evitând astfel procesul de stivuire NAND nu deteriora structura circuitului periferic și poate atinge o densitate de biți care este cu 60% mai mare decât soluția CoP. În plus, numărul de straturi NAND V11 în 2027 va fi crescut și mai mult, rata I/O poate fi crescută cu 50% și se așteaptă ca mii de straturi de stivuire să fie realizate în viitor.