Самсунг Елецтроницс планира да лансира В-НАНД технологију следеће генерације

Према извештајима корејских медија, Самсунг Елецтроницс планира да лансира следећу генерацију В-НАНД технологије са више од 400 слојева 2026. године и лансира 0а нм ДРАМ засновану на ВЦТ структури 2027. године. Овај нови тип В-НАНД технологије се зове БВ (Бондинг Вертицал) НАНД. Она ће променити постојећу ЦоП периферну ћелијску структуру тако што ће се одвојено производити меморијске ћелије и периферна кола, а затим ће се избећи процес НАНД слагања не оштети структуру периферног кола и може постићи густину битова која је 60% већа од ЦоП решења. Поред тога, број В11 НАНД слојева у 2027. години ће бити додатно повећан, И/О стопа може бити повећана за 50%, а очекује се да ће се у будућности постићи хиљаде слојева слагања.