Samsung Electronics plánuje uvést na trh novou generaci technologie V-NAND

Podle zpráv korejských médií plánuje Samsung Electronics v roce 2026 uvést na trh novou generaci technologie V-NAND s více než 400 vrstvami a v roce 2027 uvést na trh 0a nm DRAM založené na struktuře VCT. Tento nový typ technologie V-NAND se nazývá BV (Bonding Vertical) NAND. Změní stávající strukturu periferních buněk CoP tím, že se paměťové buňky a periferní obvody vyrobí samostatně a pak se provede vertikální spojování, čímž se zabrání procesu skládání NAND nepoškodí strukturu periferního obvodu a může dosáhnout bitové hustoty, která je o 60 % vyšší než u řešení CoP. Kromě toho bude počet vrstev V11 NAND v roce 2027 dále zvýšen, rychlost I/O může být zvýšena o 50 % a v budoucnu se očekává dosažení tisíců vrstev stohování.