Samsung Electronics плануе запусціць тэхналогію V-NAND наступнага пакалення

Паводле паведамленняў карэйскіх СМІ, Samsung Electronics плануе запусціць тэхналогію V-NAND наступнага пакалення з больш чым 400 слаямі ў 2026 годзе і выпусціць 0a nm DRAM на аснове структуры VCT у 2027 годзе. Гэтая новая тэхналогія V-NAND называецца BV (Bonding Vertical) NAND. Яна зменіць існуючую структуру перыферыйных ячэек CoP шляхам асобнага вырабу ячэек памяці і перыферыйных схем, а затым выканання вертыкальнага злучэння, такім чынам, пазбягаючы працэсу стэкавання NAND структура перыферыйнай схемы і можа дасягнуць шчыльнасці бітаў, якая на 60% вышэй, чым рашэнне CoP. Акрамя таго, колькасць слаёў V11 NAND у 2027 годзе будзе яшчэ больш павялічана, хуткасць уводу-вываду можа быць павялічана на 50%, і чакаецца, што ў будучыні будуць дасягнуты тысячы слаёў стэкавання.