A Samsung Electronics a következő generációs V-NAND technológia bevezetését tervezi

Koreai sajtóértesülések szerint a Samsung Electronics azt tervezi, hogy 2026-ban piacra dobja a következő generációs V-NAND technológiát több mint 400 réteggel, 2027-ben pedig VCT-struktúrán alapuló 0a nm-es DRAM-ot. Ezt az új típusú V-NAND technológiát BV (Bonding Vertical) NAND-nak hívják. Megváltoztatja a meglévő CoP perifériás cellák szerkezetét azáltal, hogy külön gyártja a memóriacellákat és a perifériás áramköröket, majd függőleges kötést hajt végre, elkerülve ezzel a NAND halmozási folyamatot nem károsítja a perifériás áramkör szerkezetét, és 60%-kal nagyobb bitsűrűséget érhet el, mint a CoP megoldás. Emellett 2027-ben tovább növelik a V11 NAND rétegek számát, az I/O arány 50%-kal növelhető, és a jövőben várhatóan több ezer réteg halmozás is elérhető.