Samsung Electronics планує запустити технологію V-NAND нового покоління

Згідно з повідомленнями корейських ЗМІ, Samsung Electronics планує запустити технологію V-NAND наступного покоління з понад 400 шарами у 2026 році та випустити 0a nm DRAM на основі структури VCT у 2027 році. Ця нова технологія V-NAND називається BV (Bonding Vertical) NAND. Вона змінить існуючу структуру периферійних комірок CoP шляхом окремого виготовлення комірок пам’яті та периферійних схем, що дозволить уникнути процесу стекування NAND структуру периферійної схеми та може досягти щільності бітів, яка на 60% вища, ніж рішення CoP. Крім того, кількість рівнів V11 NAND у 2027 році буде додатково збільшена, швидкість вводу-виводу може бути збільшена на 50%, і очікується, що в майбутньому буде досягнуто тисяч шарів стекування.