„Samsung Electronics“ planuoja pristatyti naujos kartos V-NAND technologiją

Remiantis Korėjos žiniasklaidos pranešimais, „Samsung Electronics“ planuoja 2026 m. pristatyti naujos kartos V-NAND technologiją su daugiau nei 400 sluoksnių, o 2027 m. – VCT struktūra pagrįstą 0a nm DRAM. Ši naujo tipo V-NAND technologija vadinama BV (Bonding Vertical) NAND. Ji pakeis esamą CoP periferinių elementų struktūrą, atskirai gamindama atminties ląsteles ir periferines grandines, taip išvengdama NAND sujungimo nepažeis periferinės grandinės struktūros ir gali pasiekti bitų tankį, kuris yra 60 % didesnis nei CoP tirpalas. Be to, V11 NAND sluoksnių skaičius 2027 metais bus toliau didinamas, I/O sparta gali būti padidinta 50%, o ateityje tikimasi pasiekti tūkstančius sluoksnių.