Samsung Electronics planira lansirati sljedeću generaciju V-NAND tehnologije

Prema izvješćima korejskih medija, Samsung Electronics planira lansirati sljedeću generaciju V-NAND tehnologije s više od 400 slojeva 2026. godine i lansirati 0a nm DRAM temeljen na VCT strukturi 2027. godine. Ova nova vrsta tehnologije V-NAND naziva se BV (Bonding Vertical) NAND. Ona će promijeniti postojeću strukturu periferne ćelije CoP odvojenom proizvodnjom memorijskih ćelija i perifernih sklopova, a zatim izvođenjem vertikalnog povezivanja, čime se izbjegava proces slaganja NAND-a ne oštećuje strukturu perifernog kruga i može postići gustoću bitova koja je 60% veća od CoP rješenja. Osim toga, broj V11 NAND slojeva u 2027. dodatno će se povećati, I/O stopa može se povećati za 50%, a očekuje se da će se u budućnosti postići tisuće slojeva slaganja.