Samsung Electronics plaanib turule tuua järgmise põlvkonna V-NAND-tehnoloogia

Korea meediaaruannete kohaselt plaanib Samsung Electronics 2026. aastal turule tuua enam kui 400 kihiga järgmise põlvkonna V-NAND-tehnoloogia ja 2027. aastal VCT struktuuril põhineva 0a nm DRAM-i. Seda uut tüüpi V-NAND-i tehnoloogiat nimetatakse BV (Bonding Vertical) NAND. See muudab olemasolevat CoP-i perifeerse raku struktuuri, valmistades eraldi mäluelemendid ja välisseadmete ahelad, vältides sellega NAND-i virnastamise protsessi ei kahjusta perifeerse vooluahela struktuuri ja võib saavutada bittiheduse, mis on 60% suurem kui CoP lahendus. Lisaks suurendatakse 2027. aastal V11 NAND kihtide arvu veelgi, I/O kiirust saab suurendada 50% võrra ning tulevikus loodetakse saavutada tuhandeid virnastamiskihte.