Samsung Electronics planifikon të lançojë teknologjinë e gjeneratës së ardhshme V-NAND

Sipas raporteve të mediave koreane, Samsung Electronics planifikon të nisë teknologjinë e gjeneratës së ardhshme V-NAND me më shumë se 400 shtresa në vitin 2026 dhe të nisë DRAM 0a nm bazuar në strukturën VCT në 2027. Ky lloj i ri i teknologjisë V-NAND quhet BV (Banding Vertical) NAND Ai do të ndryshojë strukturën ekzistuese të qelizave periferike të CoP duke prodhuar veçmas qelizat e kujtesës dhe qarqet periferike dhe më pas duke kryer lidhjen vertikale, duke shmangur kështu procesin e grumbullimit të mos dëmtojë strukturën e qarkut periferik dhe mund të arrijë një densitet bit që është 60% më i lartë se zgjidhja CoP. Për më tepër, numri i shtresave V11 NAND në 2027 do të rritet më tej, shkalla e hyrjes/daljes mund të rritet me 50%, dhe në të ardhmen pritet të arrihen mijëra shtresa të grumbullimit.