Samsung Electronics သည် မျိုးဆက်သစ် V-NAND နည်းပညာကို မိတ်ဆက်ရန် စီစဉ်နေသည်။

ကိုရီးယားမီဒီယာများ၏ဖော်ပြချက်အရ Samsung Electronics သည် မျိုးဆက်သစ် V-NAND နည်းပညာကို 2026 ခုနှစ်တွင် အလွှာပေါင်း 400 ကျော်ဖြင့် မိတ်ဆက်ပြီး 2027 ခုနှစ်တွင် VCT တည်ဆောက်မှုကို အခြေခံ၍ 0a nm DRAM ကို လွှင့်တင်ရန် စီစဉ်ထားသည်။ ဤ V-NAND နည်းပညာအသစ်အမျိုးအစားကို BV (Bonding Vertical) NAND ဟုခေါ်သည် ၎င်းသည် မှတ်ဉာဏ်ဆဲလ်များနှင့် အရံဆားကစ်များကို သီးခြားစီထုတ်လုပ်ကာ ဒေါင်လိုက်ချိတ်ဆက်ခြင်းလုပ်ဆောင်ခြင်းဖြင့် ၎င်းသည် NAND stacking လုပ်ငန်းစဉ်ကို ရှောင်ရှားခြင်းဖြင့် လက်ရှိ CoP အရံဆဲလ်ဖွဲ့စည်းပုံကို ပြောင်းလဲမည်ဖြစ်သည်။ peripheral circuit တည်ဆောက်ပုံကို မထိခိုက်စေဘဲ CoP ဖြေရှင်းချက်ထက် 60% ပိုများသော အနည်းငယ်သိပ်သည်းဆကို ရရှိနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ 2027 တွင် V11 NAND အလွှာအရေအတွက်ကို ထပ်မံတိုးလာမည်ဖြစ်ပြီး၊ I/O နှုန်းသည် 50% တိုးလာနိုင်ပြီး ထောင်နှင့်ချီသောအလွှာများကို အနာဂတ်တွင် အောင်မြင်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ပါသည်။