सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने अगली पीढ़ी की V-NAND तकनीक लॉन्च करने की योजना बनाई है

कोरियाई मीडिया रिपोर्टों के अनुसार, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स 2026 में 400 से अधिक परतों के साथ अगली पीढ़ी की V-NAND तकनीक लॉन्च करने और 2027 में VCT संरचना पर आधारित 0a एनएम DRAM लॉन्च करने की योजना बना रहा है। इस नए प्रकार की V-NAND तकनीक को BV (बॉन्डिंग वर्टिकल) NAND कहा जाता है, यह मेमोरी कोशिकाओं और परिधीय सर्किट को अलग-अलग बनाकर और फिर वर्टिकल बॉन्डिंग करके मौजूदा CoP परिधीय सेल संरचना को बदल देगा, जिससे NAND स्टैकिंग प्रक्रिया से बचा जा सकेगा परिधीय सर्किट संरचना को नुकसान नहीं पहुंचाता है और थोड़ा घनत्व प्राप्त कर सकता है जो सीओपी समाधान से 60% अधिक है। इसके अलावा, 2027 में V11 NAND परतों की संख्या में और वृद्धि की जाएगी, I/O दर को 50% तक बढ़ाया जा सकता है, और भविष्य में स्टैकिंग की हजारों परतें प्राप्त होने की उम्मीद है।