ក្រុមហ៊ុន Samsung Electronics គ្រោងនឹងបញ្ចេញបច្ចេកវិទ្យា V-NAND ជំនាន់ក្រោយ

យោងតាមរបាយការណ៍របស់ប្រព័ន្ធផ្សព្វផ្សាយកូរ៉េ Samsung Electronics គ្រោងនឹងដាក់ដំណើរការបច្ចេកវិទ្យា V-NAND ជំនាន់ក្រោយដែលមានស្រទាប់ច្រើនជាង 400 នៅឆ្នាំ 2026 និងដាក់ដំណើរការ 0a nm DRAM ដោយផ្អែកលើរចនាសម្ព័ន្ធ VCT នៅឆ្នាំ 2027។ បច្ចេកវិទ្យា V-NAND ប្រភេទថ្មីនេះត្រូវបានគេហៅថា BV (Bonding Vertical) NAND វានឹងផ្លាស់ប្តូររចនាសម្ព័ន្ធកោសិកាគ្រឿងកុំព្យូទ័រ CoP ដែលមានស្រាប់ដោយផលិតកោសិកាអង្គចងចាំ និងសៀគ្វីគ្រឿងកុំព្យូទ័រដោយឡែកពីគ្នា ហើយបន្ទាប់មកអនុវត្តការភ្ជាប់បញ្ឈរ ដោយជៀសវាងដំណើរការជង់ NAND មិនធ្វើឱ្យខូចរចនាសម្ព័ន្ធសៀគ្វីគ្រឿងកុំព្យូទ័រ និងអាចសម្រេចបាននូវដង់ស៊ីតេបន្តិចដែលខ្ពស់ជាងដំណោះស្រាយ CoP 60% ។ លើសពីនេះទៀតចំនួនស្រទាប់ V11 NAND ក្នុងឆ្នាំ 2027 នឹងត្រូវបានកើនឡើងបន្ថែមទៀត អត្រា I/O អាចត្រូវបានកើនឡើង 50% ហើយការដាក់ជង់រាប់ពាន់ត្រូវបានរំពឹងថានឹងសម្រេចបាននាពេលអនាគត។