Samsung Electronics পরবর্তী প্রজন্মের V-NAND প্রযুক্তি চালু করার পরিকল্পনা করছে

কোরিয়ান মিডিয়া রিপোর্ট অনুসারে, স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স 2026 সালে 400 টিরও বেশি স্তর সহ পরবর্তী প্রজন্মের V-NAND প্রযুক্তি চালু করার এবং 2027 সালে VCT কাঠামোর উপর ভিত্তি করে 0a nm DRAM চালু করার পরিকল্পনা করেছে। এই নতুন V-NAND প্রযুক্তিটিকে BV (বন্ডিং ভার্টিক্যাল) NAND বলা হয় এটি মেমরি সেল এবং পেরিফেরাল সার্কিটগুলিকে আলাদাভাবে তৈরি করে এবং তারপরে উল্লম্ব বন্ধন সম্পাদন করে, এর ফলে এটি ক্ষতি করে না পেরিফেরাল সার্কিট গঠন এবং একটি বিট ঘনত্ব অর্জন করতে পারে যা CoP সমাধানের চেয়ে 60% বেশি। এছাড়াও, 2027 সালে V11 NAND স্তরের সংখ্যা আরও বাড়ানো হবে, I/O হার 50% বৃদ্ধি করা যেতে পারে এবং ভবিষ্যতে হাজার হাজার স্তরের স্ট্যাকিং অর্জন করা হবে বলে আশা করা হচ্ছে।