Plano ng Samsung Electronics na ilunsad ang susunod na henerasyong teknolohiyang V-NAND

Ayon sa mga ulat ng Korean media, plano ng Samsung Electronics na ilunsad ang susunod na henerasyong teknolohiyang V-NAND na may higit sa 400 layer sa 2026 at ilunsad ang 0a nm DRAM batay sa VCT structure sa 2027. Ang bagong uri ng teknolohiyang V-NAND na ito ay tinatawag na BV (Bonding Vertical) NAND, babaguhin nito ang kasalukuyang istraktura ng CoP peripheral cell sa pamamagitan ng paggawa ng mga memory cell at mga peripheral circuit nang hiwalay at pagkatapos ay pagsasagawa ng vertical bonding, sa gayon ay maiiwasan ang proseso ng pag-stack ng NAND hindi makapinsala sa istraktura ng peripheral circuit at maaaring makamit ang kaunting density na 60% na mas mataas kaysa sa solusyon ng CoP. Bilang karagdagan, ang bilang ng mga V11 NAND layer sa 2027 ay tataas pa, ang I/O rate ay maaaring tumaas ng 50%, at libu-libong mga layer ng stacking ang inaasahang makakamit sa hinaharap.