Samsung Electronics beplan om die volgende generasie V-NAND-tegnologie bekend te stel

Volgens Koreaanse mediaberigte beplan Samsung Electronics om die volgende generasie V-NAND-tegnologie met meer as 400 lae in 2026 bekend te stel en in 2027 0a nm DRAM gebaseer op VCT-struktuur bekend te stel. Hierdie nuwe tipe V-NAND-tegnologie word BV (Bonding Vertical) NAND genoem. Dit sal die bestaande CoP perifere selstruktuur verander deur die geheueselle en perifere stroombane afsonderlik te vervaardig en dan vertikale binding uit te voer, en sodoende die NAND-stapelproses te vermy beskadig nie die perifere stroombaanstruktuur nie en kan 'n bietjie digtheid bereik wat 60% hoër is as die CoP-oplossing. Daarbenewens sal die aantal V11 NAND-lae in 2027 verder verhoog word, die I/O-koers kan met 50% verhoog word, en duisende lae stapeling sal na verwagting in die toekoms bereik word.